存储器行业素以强周期性著称，如今再次站在十字路口。这一切始于几年前的人工智能(AI)热潮：当时，高带宽内存(HBM)与AI加速器一同成为训练模型的首选。作为DRAM的一种特殊形式，HBM的利润率远高于NAND闪存。面对NAND价格下跌、利润缩水的困境，三星和SK海力士等大型厂商在扩大NAND产能上变得愈发谨慎。

技术层面同样挑战重重。随着NAND闪存层数突破200层大关，每一代新产品都需要先进的制造设备和巨额资本投入(图1)。目前，最先进的NAND器件层数已超330层。因此，尽管大型厂商开始将资本转向HBM生产，但到2023年，NAND产能已不再是其战略重心。

图1：下一代NAND闪存设计和制造工艺需要巨额研发投入。(来源：铠侠)

三星和SK海力士纷纷将重心转向利润率更高的、以DRAM为核心的HBM器件，而非扩建新的NAND生产线。据Omdia报道，三星已将NAND闪存晶圆投产量从2024年的490万片下调至2025年的468万片；SK海力士也紧随其后，将其NAND晶圆投产量从2024年的约190万片下调至2025年的170万片。

占据NAND闪存市场60%以上份额的这两大巨头，迄今尚未宣布任何产能扩张计划。

然而回顾过往，NAND闪存在AI领域其实扮演着至关重要的角色。随着战略重心从“训练”转向“推理”，对NAND闪存的需求持续攀升。特别是固态硬盘(SSD)在AI数据中心推理工作负载中的广泛应用，更是引爆了对NAND的需求。

以与英伟达合作的铠侠(Kioxia)为例，这家日本NAND制造商计划在2027年推出速度提升近100倍的SSD。这些专为AI服务器打造的SSD旨在取代HBM，成为英伟达GPU的配对存储。据《日经新闻》报道，铠侠预计到2029年，其近一半的NAND闪存将用于AI应用。

铠侠与闪迪的立场

当三星和SK海力士深陷HBM竞赛时，那些不涉足DRAM、专攻闪存的铠侠和闪迪处境如何？故事虽有所不同，但它们也未能完全置身事外，同样面临着NAND供应的挑战。

先看铠侠。该公司于2017年从东芝存储器业务分拆而出。长期以来，铠侠受困于内部问题和NAND器件残酷的“商品化”竞争。但如今，得益于AI推理工作负载对NAND闪存的强劲需求，以及基于NAND的SSD前所未有的市场需求，铠侠已成功走出困境，命运得以扭转。

铠侠存储事业部总经理中户俊介披露，公司2026年的NAND闪存产能已全部售罄，这一消息震惊了市场。更令人意外的是，铠侠将于2026年提前投产BICS10 NAND闪存。这款332层3D NAND阵列原计划于2027年下半年投产，旨在为AI和超大规模云厂商提供高容量存储解决方案(图2)。

图2：基于铠侠CMOS直接键合阵列(CBA)架构的BICS10 3D NAND闪存芯片，通过电路紧凑化实现了更高的面积效率。(来源：铠侠)

闪迪于2025年从西部数据分拆独立。受益于NAND持续短缺和高容量SSD价格飙升，该公司发展势头强劲。与铠侠类似，长期的NAND短缺最终可能会促使闪迪提高其产量。

命运逆转

存储器超级周期在半导体行业屡见不鲜，但这一次，AI正在改写规则。英伟达CEO黄仁勋在2026年国际消费电子展(CES)上也表达了类似观点，称存储是一个“完全未被开发的市场”。

21世纪20年代初，NAND闪存市场经历了残酷的商品化竞争，到2024年价格更是跌至历史新低，跌幅达50%。随后AI蓬勃发展，NAND制造商开始从智能手机、平板和笔记本等消费市场，转向利润率更高的新型AI服务器。

然而，彼时NAND行业已进入保守的生产模式。这一局面最终将铠侠和闪迪等“后起之秀”推向了风口浪尖，而三星和SK海力士等巨头则因错失良机而陷入被动。

AI极具颠覆性，彻底重塑了DRAM和闪存领域的格局。尽管过去几年基于DRAM的HBM一直是焦点，但如今AI集群对基于NAND的SSD的激增需求，正在产生深远的连锁反应。

业界普遍共识认为，包括DRAM和NAND在内的存储领域结构性失衡，可能会持续到2026年，甚至延续至2027年。NAND制造商将如何应对AI和消费市场的双重短缺，将是2026年值得关注的焦点。